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合肥啟爾特石油科技有限公司
主營：175度晶振,150度單片機,150度存儲器,175度電容
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合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，210度可編程存儲器介紹，175度FLASH存儲器可以做到4MB容量，175度可編程存儲器介紹，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
Flash 存儲器的操作
對 Flash 存儲器的操作一般是進行讀、寫和擦除。Flash 存儲器的擦除必須是以1KB 為單位對齊的地址并哪一區塊被擦除，或者全部擦除。
Flash 存儲器的編程寫入的地址必須以字(4 個字節)為單位對齊，且指明要寫入的具體地址。也就是說可以是任意地址，但必須滿足寫入的地址是字對齊的。
Flash 存儲器的讀取也可以是任意地址的數據，但必須滿足讀取的地址是字對齊的，否則，讀出的數據不正確，結果也難以預料。
210度進口存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，210度高溫可編程存儲器介紹，適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存儲器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
EEPROM存儲器原理
EEPROM存儲器采用浮柵晶體管作為存儲單元，通過向浮柵注入或移除電荷來改變晶體管的閾值電壓，從而實現數據的存儲。與傳統ROM相比，EEPROM具有可擦除和可編程的特性，使得數據可以被修改。
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動態隨機存儲器（DRAM）
動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能等于0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。
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第2年
