場上的FLASH存儲器產品包括兩類:1. 未預留緩沖空間的;2. 預留有緩沖空間的。
一種情況下,由于沒有預留空間,FLASH存儲器在讀寫時交換塊的損耗相當大,于是就會出現容量越來越小的情況。
對于第二種情況,廠商在設計時已經預留部分物理塊,比如選擇1024個物理塊中的1000個作為數據存儲使用,其余24個物理塊(包括壞塊)用作緩沖交換塊部分。每次上電后,存儲單元的邏輯地址和物理地址需要重新對照,交換塊并不是固定的某一區塊,因而每一個物理塊進行讀寫操作的幾率幾乎相同,不會出現哪一個物理塊過早被損壞的現象。對于預留緩沖空間的FLASH存儲器來說,200度高溫可擦除存儲器參數,基本不會出現容量越來越小的情況。
210度進口存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。EEPROM存儲器原理
EEPROM存儲器采用浮柵晶體管作為存儲單元,通過向浮柵注入或移除電荷來改變晶體管的閾值電壓,從而實現數據的存儲。與傳統ROM相比,EEPROM具有可擦除和可編程的特性,使得數據可以被修改。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存儲器可以做到4MB容量,175度高溫可擦除存儲器參數,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。新興存儲器(emerging memory)現在多指的是新的非揮發性存儲器,主要包括相變半導體(Phase Change Memory;PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。這些新興存儲器目前都在競爭儲存級存儲器(Storage Class Memory;SCM)的主要位置。
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