有許多比較各種新興存儲器的基準指標,包括寫入速度、功耗、耐久性、資料保存期限、可擴展性(scalability)等。但新興存儲器的材料、結構、甚至工作機制,都還在快速進展之中,單看這些數據并不能有較遠的能見度。
175度存儲器FLash合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,靜態存儲器,改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,即可以根據地址隨機讀寫,用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。因為其讀取速度快,210度高溫靜態存儲器廠家,多用來存儲程序、操作系統等重要信息。
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磁性隨機存儲器(MRAM)
從原理上講,MRAM的設計是非常誘人的,它通過控制鐵磁體中的電子旋轉方向來達到改變讀取電流大小的目的,從而使其具備二進制數據存儲能力。理論上來說,鐵磁體是長久不會失效的,因此它的寫入次數也是沒有限制的。
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