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沈陽東創貴金屬材料有限公司
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濺射技術：濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，香檳金靶材技術，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導體集成電路、太陽能光伏、記錄介質、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。
根據電解質的種類可分為氯化物熔鹽體系和氟化物-氧化物熔鹽體系電解法，多用于制取以鑭為主的混合稀土金屬以及鑭、鐠、釹等單一稀土金屬。熔鹽電解法為連續性生產過程，產量較大，香檳金靶材制造，設備簡單，香檳金靶材價格，成本較低，但電解槽需用耐高溫氯化物或氟化物腐蝕的結構材料制造。
還原制得含稀土99%的稀土金屬經真空精煉(包括真空蒸餾或升華)、電傳輸、區域熔煉、熔鹽電解精煉等方法處理除去非稀土雜質后，本溪香檳金靶材，可獲得純度超過99.9%的稀土金屬產品。
精鋁經過區熔提純，只能達到5 的高純鋁，但如使用在有機物電解液中進行電解，可將鋁提純到99.9995%，并可除去有不利分配系數的雜質，然后進行區熔提純數次，就能達到接近于 7 的純度，雜質總含量<0.5ppm。這種超純鋁除用于制備化合物半導體材料外，還在低溫下有高的導電性能，可用于低溫電磁設備。
制備化合物半導體的金屬如銦、磷，可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區熔及拉晶提純等方法制備超純金屬，總金屬雜質含量為 0.1～1ppm。其他金屬如銀、金、鎘、、鉑等也能達到≥6 的水平。
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第9年
