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蘇州炫吉電子科技有限公司
主營：單片機,MOS,大電流mos
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公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
用電源IC立即驅動MOS管
一個好的MOS管驅動電路有下面幾點規定：
（1）開關管啟用瞬間，驅動電路應能輸出非常大的電流，使MOS管柵源極間工作電壓快速升高到所需值，確保開關管能迅速開啟且不會有上升沿的高頻率震蕩。
（2）電源開關通斷期內，驅動電路能確保MOS管柵源極間工作電壓長期保持，且有效通導。
（3）關閉一瞬間驅動電路，能供應一個盡量低阻抗的通道，供MOS管柵源極間電容工作電壓的迅速泄流，確保開關管能迅速關閉。
（4）驅動電路構造簡易靠譜、耗損小。
（5）依據具體情況開展防護。
在控制模塊電源中，常見的是電源IC直接驅動MOS管。應用中，應當留意較大驅動高值電流量、MOS管的分布電容2個主要參數。電源IC的驅動能力、MOS分布電容尺寸、驅動電阻器電阻值都將危害MOS管電源開關速率。假如挑選MOS管分布電容較為大，電源IC內部的驅動能力又不夠時，必須在驅動電路上提高驅動能力，常應用圖騰柱電源電路提升電源IC驅動能力。
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mos管小電流發熱的緣故
1、電路原理的難題，便是讓MOS管工作中在線形的運行狀態，而不是在開關情況。這也是造成 MOS管發熱的一個緣故。假如N-MOS做開關，G級工作電壓要比開關電源高幾V，才可以徹i底通斷，中低壓mos價格，P-MOS則反過來。沒有徹i底開啟而損耗過大導致輸出功率耗費，等效電路直流電特性阻抗較為大，損耗擴大，因此U*I也擴大，耗損就代表著發熱。這也是設計方案控制電路的避諱的不正確。
2、頻率太高，主要是有時候太過追求完i美容積，造成 頻率提升，MOS管上的消耗擴大了，因此發熱也增加了。
3、沒有做到充足的排熱設計方案，電流太高，MOS管允差的電流值，一般必須保持良好的排熱才可以做到。因此ID低于較大電流，中低壓mos，也很有可能發熱比較嚴重，必須充足的輔助散熱器。
4、MOS管的型號選擇不正確，對輸出功率分辨不正確，MOS管內電阻沒有考慮到，中低壓mos萬芯半導體，造成開關特性阻抗擴大。
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場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，WP中低壓mos，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或，金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
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第4年
