MOS管失效的兩個主要原因:
電壓失效:即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓,中低壓mos公司,達到一定容量,造成MOS管失效。
柵電壓故障:柵極遭受異常電壓尖峰,造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么?簡單地說,MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之,中低壓mos廠家,即MOS管漏源極的電壓超過了它規定的電壓值,并且達到了某一能量極限i時所產生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個:生產、運輸和裝配過程中的靜電;設備和電路寄生參數在電力系統運行過程中產生高壓諧振;在高壓沖擊時,高壓通過Ggd傳輸到電網(雷擊測試時這種故障更為常見)。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應用開發及生產,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管可以用作可變電阻也可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。且場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關。
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在開關電源應用方面,這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如,DC-DC電源中常用的基本降i壓轉換器依賴兩個MOS管來執行開關功能,這些開關交替在電感里存儲能量,然后把能量釋放給負載。我們常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率,因為頻率越高,磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,MOS管只相當于一個導體。因此,我們電路或者電源設計人員關心的是MOS的傳導損耗。
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