晶振
振蕩器也可以分為插件和貼片。插件可以按大小和腳位來分。例如所謂全尺寸的,直插晶振,又稱長方形或者14pin,半尺寸的又稱正方形或者8pin。不過要注意的是,儀器175度直插晶振參數,這里的14pin和8pin都是指振蕩器內部IC的腳位數。振蕩器本身是4pin。而從不同的應用層面來分,又可分為OSC(普通鐘振)、TCXO(溫補鐘振)、VCXO(壓控鐘振)、OCXO(恒溫鐘振)等等。
晶振
負載電容的選擇:晶體工作在基頻時,石油150度直插晶振參數,其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經常工作在串聯諧振,在使用負載電容的地方,其負載電容值應從下列標準值中選擇:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
激勵電平的影響:一般來講,AT切晶體激勵電平的增大,石油230度直插晶振參數,其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應,導致可能出現寄生振蕩;嚴重熱頻漂;過應力頻漂及電阻突變。當激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標的不穩定。
濾波電路中的應用:應用于濾波電路中時,除通常的規定外,更應注意其等效電路元件的數值和誤差以及寄生響應的位置和幅度,由于濾波晶體設計的特殊性,所以用戶選購時應特別說明。
晶振
晶體電阻:對于同一頻率,當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。
工作溫度范圍與溫度頻差:在提出溫度頻差時,應考慮設備工作引起的溫升容限。當對溫度頻差要求很高,同時空間和功率都允許的情況下,應考慮恒溫工作,恒溫晶體振蕩器就是為此而設計的。
負載電容與頻率牽引:在許多應用中,都有用一負載電抗元件來牽引晶體頻率的要求,這在鎖相環回路及調頻應用中非常必要,大多數情況下,這個負載電抗呈容性,當該電容值為CL時,則相對負載諧振頻率偏移量為:DL=C1/[2(C0+CL)]。
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