MOS管FET柵源保護(hù):
1)避免 柵極 di/dt 過高
因為選用驅(qū)動集成ic,其輸出阻抗較低,直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連,有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動,寧海WPmos管,或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生,一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器,電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。
2)避免 柵源極間過壓
因為柵極與源極的特性阻抗很高,漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓,此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透,與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透,因此,要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下,保護(hù) MOS 管不被穿透。
3)安全防護(hù)漏源極中間過壓
盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大,但假如漏源極不用保護(hù)電路,一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓,從而毀壞 MOS 管,功率管電源開關(guān)速率越快,造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞,一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對策。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,WPmos管哪家好,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,對開關(guān)應(yīng)用來說,RDS(ON)也是重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),但對于充分的柵極驅(qū)動,RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外,慢慢升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),WPmos管報價,其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。
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場效應(yīng)管的主要參數(shù)有很多種,其中包含直流電流、交流電流的參數(shù)和極限參數(shù),但一般應(yīng)用時只需關(guān)心下列基本參數(shù):飽和狀態(tài)的漏源電流量IDSS夾斷電壓Up,跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大損耗輸出功率PDSM和較大漏源電流量IDSM。
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