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用作壓阻式傳感器的基片(或稱膜片)材料主要為硅片和鍺片,硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視,尤其是以測量壓力和速度的固態壓阻式傳感器應用為普遍。
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用半導體材料作為激光工作物質的激光器稱為半導體激光器,P-N結電注入型半導體激光器又稱為激光二級管(Diode),或LD。半導體材料可以是兩元、三元或多元化合物,其結構可以是同質結或單異質結(SHL),雙異質結(DHL)等,還可以將單管LD組成陣列式(array)或層疊式(stack)以增大輸出。激勵方式除P-N結電注入外,還有電子束激勵,光激勵和雪崩擊穿等方式。通常僅指明工作物質的元素,來區分不同的半導體激光器
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霍爾傳感器是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器,廣泛地應用于工業自動化技術、檢測技術及信息處理等方面。霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗測定的霍爾系數,能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數。
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