偵測到亮點之情況;
會產生亮點的缺陷:1.漏電結;2.解除毛刺;3.熱電子效應;4閂鎖效應; 5氧化層漏電;6多晶硅須;7襯底損失;8.物理損傷等。 偵測不到亮點之情況 不會出現亮點之故障:1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置);2.歐姆接觸;3.金屬互聯短路;4.表面 反型層;5.硅導電通路等。
點被遮蔽之情況:埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置,高速燒錄器供應商,這種情 況可采用Backside模式,但是只能探測近紅外波段的發光,且需要減薄及 拋光處理。
芯片失效分析步驟:
1、非破壞性分析:主要是超聲波掃描顯微鏡(C-SAM)--看有沒delamination,xray--看內部結構,常州高速燒錄器,等等;
2、電測:主要工具,萬用表,示波器, tek370a
3、破壞性分析:機械decap,化學 decap芯片開封機
4、半導體器件芯片失效分析 芯片內部分析,孔洞氣泡失效分析。
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